SiO2含量 ≥ 99.99% | 为光伏、半导体及光学工业提供核心基材
SiO2含量最高可达99.998%，极低羟基，专为光伏坩埚与半导体研制。
经过多道浮选与磁选工艺，粒度分布均匀，铁含量极低。
超细二氧化硅粉体，具有优异的介电性能和热膨胀系数。